多項選擇題凝聚開始的條件主要取決于（）
A.解吸能的大小
B.升華熱的大小
C.解吸能與升華熱的差值
D.解吸能與生化熱的比值
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1.多項選擇題水熱法制備水晶，為了使之具有足夠的溶解度并能以適當?shù)乃俣冗M行質(zhì)量良好的生長，需選擇合適的（）。
A.溶劑
B.溫度
C.壓力
D.氣氛
2.多項選擇題水熱生長溶液中，還應加入一些礦化劑。礦化劑的作用有（）
A.增大原料的溶解度
B.增大原料的溶解度溫度系數(shù)
C.影響晶體的結(jié)晶習性
D.影響晶體的生長速度
3.多項選擇題屬于制備高壓釜的材料要求的有（）
A.高溫高壓下有很高的強度
B.耐壓
C.耐腐蝕
D.密封結(jié)構(gòu)良好
4.多項選擇題凝膠法生長晶體適用于（）
A.易溶物質(zhì)
B.難溶物質(zhì)
C.分解溫度較低物質(zhì)
D.在熔點下有相變物質(zhì)
5.多項選擇題哪些是溶液生長法的優(yōu)點？（）
A.晶體可在遠低于其熔點的溫度下生長
B.容易長成大塊均勻性良好的晶體
C.生長速度快，易操作
D.可直接觀察晶體生長過程
最新試題
按照坯料的性能可將成形方法分為哪幾類？（）
題型：多項選擇題
有關(guān)表面能級圖描述不正確的說法有（）。
題型：單項選擇題
屬于一維材料的有（）
題型：單項選擇題
膜層與基片的結(jié)合強度相比較：（）。
題型：單項選擇題
晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。
題型：多項選擇題
關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）
題型：多項選擇題
氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）
題型：單項選擇題
降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。
題型：多項選擇題
適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應具有（）
題型：多項選擇題
納米微粒具有大比表面，表面原子數(shù)下降、表面能和表面張力隨粒徑下降急劇增加等現(xiàn)象，表現(xiàn)出哪些獨有的特性？（）
題型：多項選擇題