化學溶液鍍膜法主要包括（）

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

氣相生長的基本原理：氣相原子或分子運動到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺階運動蔓延整個表面，便生長一層晶體薄膜。

低維材料主要包括（）

氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

在島的結(jié)合過程中，大島和小島相結(jié)合而部分消失，得到微晶具有（）的結(jié)晶取向。

納米微粒具有大比表面，表面原子數(shù)下降、表面能和表面張力隨粒徑下降急劇增加等現(xiàn)象，表現(xiàn)出哪些獨有的特性？（）

提拉法生長單晶體的優(yōu)點有（）

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）