陶瓷燒結(jié)按照（）的不同可分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。

氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

下列哪種方法不屬于化學反應沉積鍍膜法？（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，Pd，Pt為面心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

完全光滑界面的生長是通過（）而進行的。

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

在島的結(jié)合過程中，大島和小島相結(jié)合而部分消失，得到微晶具有（）的結(jié)晶取向。

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應具有（）

關(guān)于液相燒結(jié)正確的說法有（）

提拉法生長單晶體的優(yōu)點有（）