雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。