MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時的柵極電壓。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。