P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。