柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。