p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。