半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。