MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線(xiàn)可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

MOS管可以分為4類(lèi)型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線(xiàn)可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線(xiàn)。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。