MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。