MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。