處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。