問(wèn)答題什么是分凝現(xiàn)象?平衡分凝系數(shù)?有效分凝系數(shù)?
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1.問(wèn)答題比較SiHCl3氫還原法和硅烷法制備高純硅的優(yōu)缺點(diǎn)。
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3.問(wèn)答題半導(dǎo)體的基本特性是什么?
5.問(wèn)答題解釋重?fù)诫s半導(dǎo)體使禁帶變窄的原因。
最新試題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題