問(wèn)答題若P型硅中摻入受主雜質(zhì)，EF是升高還是降低？若n型硅中摻入受主雜質(zhì)，EF是升高還是降低？
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1.問(wèn)答題解釋重?fù)诫s半導(dǎo)體使禁帶變窄的原因。
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4.問(wèn)答題實(shí)際半導(dǎo)體與理想半導(dǎo)體間的主要區(qū)別是什么？
最新試題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型：填空題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題