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A.禁帶較窄
B.禁帶較寬
C.禁帶是間接躍遷型
D.禁帶是直接躍遷型
A.無雜質(zhì)污染
B.受宇宙射線輻射
C.化學(xué)配比合理
D.晶體完整性好
A.本征半導(dǎo)體
B.金屬
C.化合物半導(dǎo)體
D.摻雜半導(dǎo)體
A.質(zhì)量較大的原子形成的半導(dǎo)體產(chǎn)生的空穴
B.價帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴
C.價帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴
D.自旋—軌道耦合分裂出來的能帶上的空穴
A.復(fù)合機構(gòu)
B.能帶結(jié)構(gòu)
C.晶體結(jié)構(gòu)
D.散射機構(gòu)
最新試題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。