單項(xiàng)選擇題重空穴指的是（）。

A.質(zhì)量較大的原子形成的半導(dǎo)體產(chǎn)生的空穴
B.價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴
C.價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴
D.自旋—軌道耦合分裂出來(lái)的能帶上的空穴


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1.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體的載流子擴(kuò)散系數(shù)大小決定于其（）。

A.復(fù)合機(jī)構(gòu)
B.能帶結(jié)構(gòu)
C.晶體結(jié)構(gòu)
D.散射機(jī)構(gòu)

2.單項(xiàng)選擇題Si中摻金的工藝主要用于制造（）器件。

A.高可靠性
B.高頻
C.大功率
D.高電壓

3.單項(xiàng)選擇題若某半導(dǎo)體導(dǎo)帶中電子出現(xiàn)幾率為零，則此半導(dǎo)體必定（）。

A.處于絕對(duì)零度
B.不含任何雜質(zhì)
C.不含任何缺陷
D.不含施主

4.單項(xiàng)選擇題II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。

A.點(diǎn)陣中的金屬原子間隙
B.一種在禁帶中引入施主的點(diǎn)缺陷
C.點(diǎn)陣中的點(diǎn)陣中的金屬原子空位
D.一種在禁帶中引入受主的位錯(cuò)

5.單項(xiàng)選擇題電子在晶體中的共有化運(yùn)動(dòng)是指（）。

A.電子在晶體中各處出現(xiàn)的幾率相同
B.電子在晶體原胞中各點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同
C.電子在晶體各原胞對(duì)應(yīng)點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同
D.電子在晶體各原胞對(duì)應(yīng)點(diǎn)的相位相同