你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題
II-VI族化合物中的M空位V_m是（）。
A.點(diǎn)陣中的金屬原子間隙
B.一種在禁帶中引入施主的點(diǎn)缺陷
C.點(diǎn)陣中的點(diǎn)陣中的金屬原子空位
D.一種在禁帶中引入受主的位錯
單項(xiàng)選擇題
電子在晶體中的共有化運(yùn)動是指（）。
A.電子在晶體中各處出現(xiàn)的幾率相同
B.電子在晶體原胞中各點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同
C.電子在晶體各原胞對應(yīng)點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同
D.電子在晶體各原胞對應(yīng)點(diǎn)的相位相同
單項(xiàng)選擇題
最小電導(dǎo)率出現(xiàn)在（）型半導(dǎo)體。
A.n
B.p
C.本征
問答題
【簡答題】硝酸（HNO₃）。
答案：工業(yè)上使用的濃硝酸是65%（質(zhì)量）的水溶液。它與硫酸、鹽酸一起作為三種常用強(qiáng)酸而被廣泛使用。硝酸是一種易揮發(fā)、易分解的酸...
問答題
【簡答題】鹽酸（HCl）。
答案：鹽酸是氯化氫氣體的水溶液，15℃時氯化氫在水中溶解度最大可生成42.7%（質(zhì)量）的鹽酸。市場上出售的濃鹽酸為37.2%（...
問答題
【簡答題】氫氧化鈉。
答案：氫氧化鈉（NaOH），又稱苛性鈉、燒堿或火堿，白色固體，熔點(diǎn)318.4℃。因?yàn)闈鈮A能腐蝕玻璃，故固體氫氧化鈉常用塑料瓶或...
問答題
【簡答題】硅酸鹽。
答案：硅酸鹽是一種廉價的緩沖劑，在清洗液中，它對控制pH值的變化、保證去污效果有一定作用。其代表性的品種是硅酸鈉（Na
問答題
【論述題】簡述硅片表面污染的來源。
答案：硅片表面污染的來源主要有以下幾方面：
（1）有機(jī)物沾污：包括切、磨、拋工藝中的潤滑油脂；石蠟、松香等粘合劑；手...
問答題
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問答題
【簡答題】半導(dǎo)體芯片制造工藝對氣體有什么要求？
答案：半導(dǎo)體芯片制造工藝中經(jīng)常使用氧、氬、氫、氮等氣體，由于這些氣體的微粒雜質(zhì)和水汽對半導(dǎo)體芯片的性能、質(zhì)量、成品率有極大的影...

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若某半導(dǎo)體導(dǎo)帶中電子出現(xiàn)幾率為零，則此半導(dǎo)體必定（）。

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【簡答題】鹽酸（HCl）。

【簡答題】氫氧化鈉。

【簡答題】硅酸鹽。

【論述題】簡述硅片表面污染的來源。

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【簡答題】半導(dǎo)體芯片制造工藝對氣體有什么要求？

若某半導(dǎo)體導(dǎo)帶中電子出現(xiàn)幾率為零，則此半導(dǎo)體必定（）。

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II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。

電子在晶體中的共有化運(yùn)動是指（）。

最小電導(dǎo)率出現(xiàn)在（）型半導(dǎo)體。

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【論述題】簡述硅片表面污染的來源。

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【簡答題】半導(dǎo)體芯片制造工藝對氣體有什么要求？

若某半導(dǎo)體導(dǎo)帶中電子出現(xiàn)幾率為零，則此半導(dǎo)體必定（）。

II-VI族化合物中的M空位V_m是（）。

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最小電導(dǎo)率出現(xiàn)在（）型半導(dǎo)體。

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