（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。