MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。