問答題實(shí)際半導(dǎo)體與理想半導(dǎo)體間的主要區(qū)別是什么？
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2.單項(xiàng)選擇題在光電轉(zhuǎn)換過程中，Si比GaAs量子效率低，因?yàn)槠洌ǎ?/a>
A.禁帶較窄
B.禁帶較寬
C.禁帶是間接躍遷型
D.禁帶是直接躍遷型
3.單項(xiàng)選擇題在太空的空間實(shí)驗(yàn)室里生長(zhǎng)的GaAS具有很高的載流子遷移率，是因?yàn)檫@樣的材料（）。
A.無雜質(zhì)污染
B.受宇宙射線輻射
C.化學(xué)配比合理
D.晶體完整性好
4.單項(xiàng)選擇題若一種材料的電阻率隨溫度升高先下降后升高，則該材料是（）。
A.本征半導(dǎo)體
B.金屬
C.化合物半導(dǎo)體
D.摻雜半導(dǎo)體
5.單項(xiàng)選擇題重空穴指的是（）。
A.質(zhì)量較大的原子形成的半導(dǎo)體產(chǎn)生的空穴
B.價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴
C.價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴
D.自旋—軌道耦合分裂出來的能帶上的空穴
最新試題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型：填空題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題