A、100mm×100mm×100mm
B、50mm×50mm×50mm
C、150mm×150mm×150mm
D、70.7mm×70.7mm×70.7mm
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A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚
A、最大
B、最小
C、平均
D、中間
A、五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
A、五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
PN結(jié)的基本特性是()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
硅片拋光在原理上不可分為()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()