單項選擇題預應力筋用錨具、夾具和連接器國家標準的標準號是（）
A、GB5313-2010
B、GB/T14370-2007
C、JGJ145-2004
D、JG/T5011.8-1992
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1.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標準中，每粉煤灰磚每（）塊為一批，不足該數(shù)量亦按一批計。
A、3.5～15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
2.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標準中粉煤灰磚各項技術要求的指標的試驗按（）的規(guī)定進行。
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標準都不對
3.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標準中規(guī)定粉煤灰磚色差的試驗方法為：?。ǎK粉煤灰磚，平放在地上，在自然光照下，距離樣品1.5m處目測，無明顯色差。
A、30
B、36
C、40
D、50
4.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標準規(guī)定優(yōu)等品磚的強度等級應不低于（）
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
5.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標準規(guī)定集料應符合相應標準規(guī)定，放射性性質(zhì)應符合（）的規(guī)定。
A、JC/T.409
B、JC/T.621
C、GB.175
D、GB.6763
最新試題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題