單項(xiàng)選擇題錨固端外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
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1.單項(xiàng)選擇題錨固端外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在正常環(huán)境中不小于（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
2.單項(xiàng)選擇題夾片式錨具在張拉達(dá)到預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值的多少之前不得出現(xiàn)裂紋（）
A、80%
B、95%
C、98%
D、100%
3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)采用錐塞式錨具時(shí)，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
4.單項(xiàng)選擇題采用鋼絲束鐓頭錨具時(shí)，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
5.單項(xiàng)選擇題采用有頂壓的夾片式錨具時(shí)，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題