A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體
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A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
A、抗壓強(qiáng)度
B、抗折強(qiáng)度
C、抗?jié)B等級(jí)
D、靜力受壓彈性模量
A、規(guī)范砼試驗(yàn)方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗(yàn)方法
C、統(tǒng)一砼力學(xué)性能試驗(yàn)方法
D、提高砼試驗(yàn)精度和試驗(yàn)水平
A、拌合物維勃稠度測定
B、水泥表觀密度測定
C、拌合物含氣量測定
D、細(xì)骨料修正系數(shù)(0.16mm以下粉料修正)測定
A、孔徑為5mm和0.16mm的標(biāo)準(zhǔn)篩
B、振動(dòng)臺(tái)
C、臺(tái)秤
D、分光光度計(jì)
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。