A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、150×150×300mm棱柱體
D、Φ150×300mm圓柱體
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B、100×100×100mm立方體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體
A、同一盤(pán)
B、連續(xù)三盤(pán)
C、同一車(chē)
D、連續(xù)三車(chē)
A、抗壓強(qiáng)度
B、抗折強(qiáng)度
C、抗?jié)B等級(jí)
D、靜力受壓彈性模量
A、規(guī)范砼試驗(yàn)方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗(yàn)方法
C、統(tǒng)一砼力學(xué)性能試驗(yàn)方法
D、提高砼試驗(yàn)精度和試驗(yàn)水平
A、拌合物維勃稠度測(cè)定
B、水泥表觀密度測(cè)定
C、拌合物含氣量測(cè)定
D、細(xì)骨料修正系數(shù)(0.16mm以下粉料修正)測(cè)定
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
下列是晶體的是()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()