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最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
下列是晶體的是()。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法