多項(xiàng)選擇題砼力學(xué)性能試件的尺寸構(gòu)造有公差要求的包括有（）。

A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度


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1.多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件是砼抗折強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)試件。

A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體

2.多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件可用作砼抗折強(qiáng)度試件。

A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ200×400mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體

3.多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件是砼靜力受壓彈性模量非標(biāo)準(zhǔn)試件。

A、200×200×400mm棱柱體
B、Φ200×400mm圓柱體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、100×100×300mm棱柱體

4.多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件可用作砼軸心抗壓強(qiáng)度試件。

A、200×200×400mm棱柱體
B、100×100×300mm棱柱體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、200×200×600mm棱柱體

5.多項(xiàng)選擇題以下（）尺寸和形狀的試件是砼劈裂抗拉強(qiáng)度非標(biāo)準(zhǔn)試件。

A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體

最新試題

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

題型：單項(xiàng)選擇題

硅片拋光在原理上不可分為（）

題型：單項(xiàng)選擇題

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

題型：單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項(xiàng)選擇題

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

題型：單項(xiàng)選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

題型：單項(xiàng)選擇題

可用作硅片的研磨材料是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：單項(xiàng)選擇題