A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
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A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、試驗(yàn)?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果,尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個(gè)試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個(gè)試件測值中,最大值或最小值如有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過中間值的15%時(shí),取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
A、抗折試驗(yàn)過程中,加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過程中,加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過程中,加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過程中,因砼抗拉性能差,加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.05~0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長100mm試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長200mm試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長100mm試件為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
最新試題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
硅片拋光在原理上不可分為()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()