A、抗折試驗過程中,加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗過程中,加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗過程中,加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗過程中,因砼抗拉性能差,加荷應(yīng)緩慢進行
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A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.05~0.08MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
D、A、B、C選項都不對
A、小于C60強度等級的邊長100mm試件為0.95
B、小于C60強度等級的邊長200mm試件為1.05
C、小于C60強度等級的邊長100mm試件為0.85
D、不小于C60強度等級的砼應(yīng)由試驗確定
A、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的20%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的劈裂抗拉強度值。
A、邊長100mm的C20級砼加荷速度取每秒0.2~0.5kN
B、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒0.5~0.8kN
C、邊長100mm的C70級砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
改良西門子法的顯著特點不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
PN結(jié)的基本特性是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()