A、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時,該組試件的試驗結果無效。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗結果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的20%時,該組試件的試驗結果無效。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術平均值作為該組試件的劈裂抗拉強度值。
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C、邊長100mm的C70級砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
A、試件承壓面
B、試驗機壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
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光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
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用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
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在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()