A、邊長100mm的C20級砼加荷速度取每秒0.2~0.5kN
B、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒0.5~0.8kN
C、邊長100mm的C70級砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
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A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
A、試件承壓面
B、試驗(yàn)機(jī)壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
A、棱柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
B、立方體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
C、圓柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
D、圓球體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
A、棱柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
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C、圓柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
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A、棱柱體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
B、立方體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
C、圓球體抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)方法
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最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列是晶體的是()。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;