A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
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A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強度等級時為0.95
B、小于C60強度等級時為1.05
C、小于C60強度等級時為0.85
D、不小于C60強度等級時應(yīng)由試驗確定
A、試驗?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果,尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值或最小值如有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%時,取中間值作為該組試件的抗折強度值。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強度值。
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
可用作硅片的研磨材料是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。