A、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過快凍法來測(cè)定的
B、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過慢凍法來測(cè)定的
C、砼抗凍標(biāo)號(hào)以抗壓強(qiáng)度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號(hào)以相對(duì)動(dòng)彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
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A、3個(gè)試件的測(cè)值有出現(xiàn)負(fù)值的，應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計(jì)算與結(jié)果確定
B、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值與中間值之差超過1%時(shí)，取中間值作為測(cè)定值
C、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過1%時(shí)，取中間值作為測(cè)定值
D、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過1%時(shí)，試驗(yàn)結(jié)果無效
A、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過中間值的15%時(shí)，取其余2個(gè)測(cè)值的算術(shù)平均值為強(qiáng)度測(cè)定值
B、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過中間值的15%時(shí)，取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
C、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過中間值的15%時(shí)，取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
D、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過中間值的15%時(shí)，強(qiáng)度試驗(yàn)結(jié)果無效
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于4h
B、融化時(shí)間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于8h
D、融化時(shí)間不應(yīng)少于8h
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。