多項(xiàng)選擇題慢凍法砼抗凍試驗(yàn)每次凍融循環(huán)中有關(guān)冷凍和融化的時(shí)間，正確的有（）。

A、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于4h
B、融化時(shí)間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于8h
D、融化時(shí)間不應(yīng)少于8h


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1.多項(xiàng)選擇題慢凍法砼抗凍試驗(yàn)每次凍融循環(huán)中有關(guān)融化的要求，正確的有（）。

A、冷凍結(jié)束后，應(yīng)即加入溫度為（18～20）℃的水，加水時(shí)間不應(yīng)超過(guò)10min
B、冷凍結(jié)束后，應(yīng)即加入溫度為100℃的熱水，加水時(shí)間不應(yīng)超過(guò)10min
C、溫控系統(tǒng)應(yīng)確保在30min內(nèi)，水溫不低于10℃，且在30min后水溫能保持在（18～20）℃
D、箱內(nèi)水面應(yīng)至少高出試件表面20mm

2.多項(xiàng)選擇題慢凍法砼抗凍試驗(yàn)箱內(nèi)試件擺放要求，正確的有（）。

A、試件架與試件的接觸面積不宜超過(guò)試件底面的1/5
B、試件與箱體內(nèi)壁之間應(yīng)至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應(yīng)緊密擺放
D、試件架中各試件之間應(yīng)至少保持30mm空隙

3.多項(xiàng)選擇題慢凍法砼抗凍試驗(yàn)凍融試驗(yàn)箱的溫控要求，正確的有（）。

A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應(yīng)能保證在（-20～-18）℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應(yīng)能保證在（18～20）℃范圍
C、滿(mǎn)載時(shí)箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過(guò)2℃
D、滿(mǎn)載時(shí)箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過(guò)5℃

4.多項(xiàng)選擇題快凍法砼抗凍試驗(yàn)試件的形狀，不正確的有（）。

A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體

5.多項(xiàng)選擇題慢凍法砼抗凍試驗(yàn)試件的形狀，不正確的有（）。

A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體

最新試題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

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光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

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下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

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載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題