A、測溫試件就是凍融試驗試件
B、測溫試件應(yīng)采用防凍液作為凍融介質(zhì)
C、測溫試件應(yīng)采用純凈水作為凍融介質(zhì)
D、測溫試件所用砼的抗凍性能應(yīng)高于凍融試驗試件
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A、宜采用具有彈性的橡膠材料制作
B、宜采用具有高強(qiáng)度和硬度的鋼板制作
C、截面尺寸宜為115×115mm
D、長度宜為500mm
A、砼動彈性模量測定儀
B、快速凍融裝置
C、溫度傳感器
D、砼回彈儀
A、砼抗凍標(biāo)號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標(biāo)號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標(biāo)號以抗壓強(qiáng)度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、砼抗凍標(biāo)號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標(biāo)號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標(biāo)號以抗壓強(qiáng)度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、3個試件的測值有出現(xiàn)負(fù)值的，應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計算與結(jié)果確定
B、按選項A處理后，當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值與中間值之差超過1%時，取中間值作為測定值
C、按選項A處理后，當(dāng)3個試件的測值中2個極值均與中間值之差超過1%時，取中間值作為測定值
D、按選項A處理后，當(dāng)3個試件的測值中2個極值均與中間值之差超過1%時，試驗結(jié)果無效
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫械〈糠值牧?，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
PN結(jié)的基本特性是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
改良西門子法的顯著特點不包括（）