A、技術(shù)要求
B、試驗方法
C、檢驗規(guī)則
D、放射性核素限量
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、700
B、600
C、1300
D、1400
A、MU1.5
B、MU2.5
C、MU10.0
D、MU15.0
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、密度和強度
D、吸水率和相對含水率
A、新產(chǎn)品投產(chǎn)或產(chǎn)品定型鑒定時;
B、砌塊的原材料、配合比及生產(chǎn)工藝發(fā)生較大變化時;
C、正常生產(chǎn)六個月時(干燥收縮率、碳化系數(shù)和抗凍性每年一次)
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個月以上恢復(fù)生產(chǎn)時
最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
下列是晶體的是()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法