多項選擇題普通混凝土小型空心砌塊（GB8239-1997）標準規(guī)定了普通混凝土小型空心砌塊的（）、運輸和堆放等。
A、產(chǎn)品分類
B、技術要求
C、試驗方法
D、檢驗規(guī)則
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1.多項選擇題普通混凝土小型空心砌塊標準中普通混凝土小型空心砌塊按其尺寸偏差，外觀質量分為（）。
A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
2.多項選擇題普通混凝土小型空心砌塊標準中普通混凝土小型空心砌塊按其強度等級分為（）MU7.5、MU10.0、MU15.0等幾大類。
A、MU3.5
B、MU5.0
C、MU20
D、MU25
3.多項選擇題下列有關普通混凝土小型空心砌塊的標記示例，正確的有（）。
A、NHB.MU7.5AGB8239
B、NHB.MU3.5BGB8239
C、NHB.MU2.5CGB8239
D、NHB.MU7.5DGB8239
4.多項選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊標準規(guī)定了輕集料混凝土小型空心砌塊的術語和定義、分類、原材料、（）、產(chǎn)品出廠以及產(chǎn)品合格證、貯存和運輸?shù)取?/a>
A、技術要求
B、試驗方法
C、檢驗規(guī)則
D、放射性核素限量
5.多項選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊密度等級分為八級：800、900、1000、1100、1200、（）。
A、700
B、600
C、1300
D、1400
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那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題