單項(xiàng)選擇題過共析鋼的退火組織是（）
A、F+Fe3CIII
B、F+P
C、P+Fe3CII
D、P+Fe3CIII
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1.單項(xiàng)選擇題為降低低碳冷軋鋼板的硬度，宜采用下列哪種工藝（）
A、完全退火
B、球化退火
C、再結(jié)晶退火
D、等溫退火
2.單項(xiàng)選擇題對(duì)球墨鑄鐵進(jìn)行高溫正火的目的是為了得到下列哪種組織（）
A、F+G
B、F+P+G
C、P+G
D、Ld+G
3.單項(xiàng)選擇題下列合金中，哪種合金被稱為巴氏合金（）
A、鋁基軸承合金
B、鉛基軸承合金
C、銅基軸承合金
D、鋅基軸承合金
4.單項(xiàng)選擇題下列二元合金的恒溫轉(zhuǎn)變中，哪個(gè)是共析轉(zhuǎn)變（）
A、L+α→β
B、L→α+β
C、γ→α+β
D、α+β→γ
5.單項(xiàng)選擇題下列鋼經(jīng)完全退火后，哪種鋼可能會(huì)析出網(wǎng)狀滲碳體（）
A、Q235
B、45
C、60Si2Mn
D、T12
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題