A、形成了高密度位錯(cuò)
B、晶格發(fā)生畸變
C、晶格類型發(fā)生改變
D、析出亞穩(wěn)定第二相粒子
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A、正火
B、調(diào)質(zhì)
C、退火
D、淬火+中溫回火
A、淬火+低溫回火
B、調(diào)質(zhì)+表面淬火
C、滲碳+淬火+低溫回火
D、淬火+中溫回火
A、M+K
B、P+F
C、B下
D、M+P
A、淬火+低溫回火
B、滲碳+淬火+低溫回火
C、淬火+中溫回火
D、氮化+淬火+低溫回火
A、F+Fe3CIII
B、F+P
C、P+Fe3CII
D、P+Fe3CIII
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
下列是晶體的是()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()