單項選擇題下列諸因素中，哪個是造成45鋼淬火硬度偏低的主要原因（）
A、加強溫度低于Ac3
B、加熱溫度高于AC3
C、保溫時間過長
D、冷卻速度大于VK
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1.單項選擇題對片狀馬氏體而言，下列說法哪個是錯誤的（）
A、是位錯馬氏體
B、是孿晶馬氏體
C、是過飽和的a固溶體
D、具有高的強度
2.單項選擇題鋼的下列組織中熱穩(wěn)定性最差的是（）
A、珠光體
B、馬氏體
C、回火屈氏體
D、回火索氏體
3.單項選擇題鋼件出現(xiàn)下述哪種缺陷時，難以用熱處理來消除（）
A、晶內偏析
B、纖維組織
C、晶粒粗大
D、網(wǎng)狀滲碳體
4.單項選擇題碳鋼的下列各組織中，哪個是復相組織（）
A、珠光體
B、鐵素體
C、滲碳體
D、馬氏體
5.單項選擇題鋼中的二次滲碳體是指從（）中析出的滲碳體.
A、從鋼液中析出的
B、從奧氏體中析出的
C、從鐵素中析出的
D、從馬氏體中析出的
最新試題
在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題