單項(xiàng)選擇題熱鍛模的最終熱處理工藝應(yīng)該是()
A.淬火+低溫回火
B.淬火+中溫回火
C.調(diào)質(zhì)
D.調(diào)質(zhì)后表面淬火
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1.單項(xiàng)選擇題T8鋼奧氏體化后進(jìn)行油淬,其組織為()
A.M
B.M+A殘
C.M+B下+A殘
D.M+T+A殘
2.單項(xiàng)選擇題對亞共析鋼進(jìn)行完全退火,其退火溫度應(yīng)為()
A.低于Ac1溫度
B.高于Ac1溫度而低于Ac3溫度
C.等于Ac3溫度
D.Ac3+30至50度
3.單項(xiàng)選擇題普通灰口鑄鐵組織中,不應(yīng)有下列哪種滲碳體出現(xiàn)?()
A.一次滲碳體
B.二次滲碳體
C.三次滲碳體
D.一次滲碳體和二次滲碳體
4.單項(xiàng)選擇題對過共析鋼不能進(jìn)行下列哪種退火處理()
A.完全退火
B.再結(jié)晶退火
C.等溫退火
D.去應(yīng)力退火
5.單項(xiàng)選擇題對純金屬而言,下列說法哪個(gè)是錯(cuò)誤的()
A.不會(huì)在恒溫下結(jié)晶
B.不會(huì)發(fā)生相變
C.都能進(jìn)行形變強(qiáng)化
D.都能進(jìn)行時(shí)效強(qiáng)化
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項(xiàng)選擇題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
題型:單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項(xiàng)選擇題