用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）