對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法