下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

PN結(jié)的基本特性是（）