載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

硅片拋光在原理上不可分為（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）