問(wèn)答題生產(chǎn)中細(xì)化晶粒的方法有哪幾種?為什么要細(xì)化晶粒?
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與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
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PN結(jié)的基本特性是()
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
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把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
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可用作硅片的研磨材料是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題