對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

下列是晶體的是（）。 

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法