下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

PN結(jié)的基本特性是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。