處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。